一种用于单晶硅晶圆的激光辅助抛光方法技术

本发明专利技术公开了一种用于单晶硅晶圆的激光辅助抛光方法，属于激光辅助加工技术领域。通过超快激光对单晶硅机械研磨片进行交叉扫描处理，实现了单晶硅研磨片表面粗糙度的降低，同时，使辐照后的硅片在化学机械抛光加工中的效率大幅提高，材料去除率可达未处理硅片的3.39倍。将该方法应用于硅晶圆平坦化加工中，可有效降低生产成本，提高生产效率。提高生产效率。提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种用于单晶硅晶圆的激光辅助抛光方法


[0001]本专利技术属于激光辅助加工
，具体涉及一种用于单晶硅晶圆的激光辅助抛光方法。

技术介绍

[0002]硅材料因其具有单方向导电特性、热敏特性、光电特性、掺杂特性等优良性能，可以生长为大尺寸高纯度晶体，且储量丰富、价格低廉，故成为全球应用最广泛、最重要的半导体基础材料。集成电路(IC)的发展离不开基础材料硅片,全球90％以上的IC都要采用硅片。
[0003]信息技术产业和集成电路产业的发展对半导体材料的制造提出了越来越高的要求，随着芯片面积的不断变小和集成度的飞速提高，要求半导体材料具有更高的表面质量(如低的表面粗糙度、翘曲度、平整度、无表面/亚表面损伤)。目前，对半导体材料的表面处理主要包括机械研磨和化学机械抛光两大步骤。机械研磨加工可以去除前道工艺产生的切割锯痕，降低翘曲度、表面粗糙度，但研磨过程会产生新的表面/亚表面损伤。通过化学机械抛光(CMP)可以去除研磨过程产生的损伤，该方法将机械摩擦与化学腐蚀相结合，以获得较高质量的抛光表面，然而，化学机械抛光的材料去除率很低，导致CMP本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于单晶硅晶圆的激光辅助抛光方法，其特征在于包括以下步骤：步骤(1)、提供经过机械研磨的单晶硅晶圆；步骤(2)、利用超快激光加工设备对步骤(1)的单晶硅晶圆进行扫描；步骤(3)、将经过激光处理的单晶硅晶圆放入无水乙醇中超声清洗并干燥；步骤(4)、对晶圆进行化学机械抛光。2.根据权利要求1所述的一种用于单晶硅晶圆的激光辅助抛光方法，其特征在于，步骤(2)中设定的激光参数为：激光波长为355nm
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1070nm，激光脉宽为50fs
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500ps，激光功率为5W
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【专利技术属性】
技术研发人员：管迎春，李欣欣，崔智铨，
申请(专利权)人：北京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：