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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括器件区和伪器件区，基底包括隔离层、位于隔离层上的栅极结构、位于栅极结构上的第一掩膜层、位于栅极结构之间隔离层上的源漏插塞以及位于源漏插塞上第二掩膜层。本发明实施例，分别去除伪器件区...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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