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一种半导体结构及其形成方法,所述方法包括:提供基底,所述基底的至少一个表层为半导体材料层;去除部分半导体材料层,形成多个并行的鳍部,其中,所述多个并行的鳍部包括至少一个隔离鳍部和至少一个有源鳍部;在所述隔离鳍部的上方形成支撑结构;在所述支撑...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构及其形成方法,所述方法包括:提供基底,所述基底的至少一个表层为半导体材料层;去除部分半导体材料层,形成多个并行的鳍部,其中,所述多个并行的鳍部包括至少一个隔离鳍部和至少一个有源鳍部;在所述隔离鳍部的上方形成支撑结构;在所述支撑...