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本申请提供了半导体装置以及金属氧化物半导体电容器结构。半导体装置设置于一电感器之下。半导体装置包含一金属氧化物半导体电容器结构以及一图案化屏蔽结构。金属氧化物半导体电容器结构包含一多晶硅层、一氧化定义层以及一第一金属层。第一金属层连接多晶硅...
该专利属于瑞昱半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过瑞昱半导体股份有限公司授权不得商用。

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