本申请提供了半导体装置以及金属氧化物半导体电容器结构。半导体装置设置于一电感器之下。半导体装置包含一金属氧化物半导体电容器结构以及一图案化屏蔽结构。金属氧化物半导体电容器结构包含一多晶硅层、一氧化定义层以及一第一金属层。第一金属层连接多晶硅层以及氧化定义层。图案化屏蔽结构设置于金属氧化物半导体电容器结构之上且包含一第二金属层。半导体电容器结构之上且包含一第二金属层。半导体电容器结构之上且包含一第二金属层。
【技术实现步骤摘要】
半导体装置以及金属氧化物半导体电容器结构
[0001]本公开中所述实施例内容涉及一种半导体技术，特别涉及一种金属氧化物半导体电容器结构以及包含金属氧化物半导体电容器结构的半导体装置。
技术介绍
[0002]随着半导体技术的发展，金属氧化物半导体电容器结构已应用于许多电路系统。然而，一些相关技术中的金属氧化物半导体电容器结构存在有许多缺点，导致半导体装置的品质因数值(quality factor，Q value)不佳。
技术实现思路
[0003]本公开的一些实施方式涉及一种半导体装置。半导体装置设置于一电感器之下。半导体装置包含一金属氧化物半导体电容器结构以及一图案化屏蔽结构。金属氧化物半导体电容器结构包含一多晶硅层、一氧化定义层以及一第一金属层。第一金属层连接多晶硅层以及氧化定义层。图案化屏蔽结构设置于金属氧化物半导体电容器结构之上且包含一第二金属层。
[0004]本公开的一些实施方式涉及一种金属氧化物半导体电容器结构。金属氧化物半导体电容器结构设置于一图案化屏蔽结构之下。金属氧化物半导体电容器结构包含一多晶硅层、一氧化定义层以及一第一金属层。第一金属层通过一第一连接通孔连接多晶硅层，且通过一第二连接通孔连接氧化定义层。图案化屏蔽结构包含一第二金属层，且第一金属层通过一第三连接通孔连接第二金属层。
[0005]综上所述，本公开的半导体装置可利用两层金属层实现金属氧化物半导体电容器结构以及图案化屏蔽结构，且可提高品质因数值。
附图说明
[0006]为让本公开的上述和其他目的、特征、优点与实施例能够更明显易懂，附图的说明如下：
[0007]图1是依照本公开一些实施例所示出的一电感器以及一半导体装置的示意图；
[0008]图2是依照本公开一些实施例所示出的一半导体装置的示意图；
[0009]图3是依照本公开一些实施例所示出的图2中一剖面线的剖面图；
[0010]图4是依照本公开一些实施例所示出的图2中一剖面线的剖面图；
[0011]图5是依照本公开一些实施例所示出的一半导体装置的示意图；以及
[0012]图6是依照本公开一些实施例所示出的一半导体装置的示意图。
[0013]符号说明
[0014]110：电感器
[0015]120：半导体装置
[0016]120A：半导体装置
[0017]120B：半导体装置
[0018]120C：半导体装置
[0019]122：金属氧化物半导体电容器结构
[0020]1221：多晶硅层
[0021]1222：氧化定义层
[0022]1223、M1：第一金属层
[0023]124：图案化屏蔽结构
[0024]AA
’
：剖面线
[0025]BB
’
：剖面线
[0026]M11：第一导电部件
[0027]M12：第二导电部件
[0028]M2：第二金属层
[0029]V1：第一连接通孔
[0030]V2：第二连接通孔
[0031]V3：第三连接通孔
[0032]X：方向
[0033]Y：方向
[0034]Z：方向
[0035]C1：第一导电段
[0036]C2：第二导电段
[0037]C3：第三导电段
具体实施方式
[0038]下文是举实施例配合附图作详细说明，但所提供的实施例并非用以限制本公开所涵盖的范围，而结构运行的描述非用以限制其执行的顺序，任何由元件重新组合的结构，所产生具有均等技术效果的装置，皆为本公开所涵盖的范围。另外，附图仅以说明为目的，并未依照原尺寸作图。为使便于理解，下述说明中相同元件或相似元件将以相同的附图标记来说明。
[0039]在本文中，使用第一、第二与第三等等的词汇，是用于描述各种元件、组件、区域、层与/或区块是可以被理解的。但是这些元件、组件、区域、层与/或区块不应该被这些术语所限制。这些词汇只限于用来辨别单一元件、组件、区域、层与/或区块。因此，在下文中的一第一元件、组件、区域、层与/或区块也可被称为第二元件、组件、区域、层与/或区块，而不脱离本公开的本意。
[0040]参考图1。图1是依照本公开一些实施例所示出的电感器110以及半导体装置120的示意图。以图1示例而言，半导体装置120设置于电感器110的下方。
[0041]参考图2、图3以及图4。图2是依照本公开一些实施例所示出的半导体装置120A的示意图。图3是依照本公开一些实施例所示出的图2中剖面线AA
’
的剖面图。图4是依照本公开一些实施例所示出的图2中剖面线BB
’
的剖面图。在一些实施例中，图2的半导体装置120A用以实现图1中的半导体装置120。
[0042]半导体装置120A包含金属氧化物半导体电容器结构(metal-oxide-semiconductor capacitor，MOSCAP)122以及图案化屏蔽结构124。图案化屏蔽结构124设置于金属氧化物半导体电容器结构122的上方。
[0043]详细而言，金属氧化物半导体电容器结构122包含多晶硅层1221、氧化定义(oxide definition；OD)层1222、第一金属层1223(例如：M1层，后述以第一金属层M1称之)、多个连接通孔(via)V1以及多个连接通孔V2。多晶硅层1221设置于氧化定义层1222的上方。第一金属层1223设置于多晶硅层1221的上方。
[0044]图案化屏蔽结构124设置于第一金属层1223的上方。图案化屏蔽结构124可由第二金属层(例如：M2层，后述以第二金属层M2称之)实现。
[0045]在一些相关技术中，位于上方的电感器运行时所产生的磁场会造成下方的半导体装置产生涡电流。而涡电流会影响到上方电感器的品质因数值(quality factor，Q value)。
[0046]相较于上述相关技术，本公开中的半导体装置120A中包含有图案化屏蔽结构124。在一些实施例中，图案化屏蔽结构124可接地。图案化屏蔽结构124可降低电感器110中的互感，以避免半导体装置120A产生上述的涡电流，进而有效地维持电感器110的品质因数值。
[0047]另外，在一些其他的相关技术中，金属氧化物半导体电容器结构需利用至少三层金属层实现。
[0048]相较于上述其他的相关技术，本公开中的金属氧化物半导体电容器结构122仅利用两层金属层(第一金属层M1以及第二金属层M2)来实现。据此，本公开的金属氧化物半导体电容器结构122具有低成本以及结构简单的优点。
[0049]再次参考图3。第一金属层M1包含第一导电部件M11以及至少一第二导电部件M12。在图3的例子中，第一金属层M1包含两个第二导电部件M12。第一导电部件M11用以接收第一电压。第二金属层M2用以接收第二电压。第二电压相异于第一电压。举例而本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，设置于一电感器之下，其中该半导体装置包含：一金属氧化物半导体电容器结构，包含：一多晶硅层；一氧化定义层；及一第一金属层，连接该多晶硅层以及该氧化定义层；以及一图案化屏蔽结构，设置于该金属氧化物半导体电容器结构之上且包含一第二金属层。2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一金属层包含一第一导电部件以及至少一第二导电部件，其中该第一导电部件通过一第一连接通孔连接该多晶硅层，且该至少一第二导电部件通过一第二连接通孔连接该氧化定义层。3.如权利要求2所述的半导体装置，其中该至少一第二导电部呈H状。4.如权利要求2所述的半导体装置，其中该第一导电部件于一平面上的一第一投影范围位于该第二金属层于该平面上的一第二投影范围内。5.如权利要求2所述的半导体装置，其中该至少一第二导电部件通过一第三连接通孔连接该第二金属层。6.如权利要求5所述的半导体装置，其中该至少一第二导电部件包含...
【专利技术属性】
技术研发人员：颜孝璁，陈家源，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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