【技术实现步骤摘要】
半导体装置以及金属氧化物半导体电容器结构
[0001]本公开中所述实施例内容涉及一种半导体技术，特别涉及一种金属氧化物半导体电容器结构以及包含金属氧化物半导体电容器结构的半导体装置。
技术介绍
[0002]随着半导体技术的发展，金属氧化物半导体电容器结构已应用于许多电路系统。然而，一些相关技术中的金属氧化物半导体电容器结构存在有许多缺点，导致半导体装置的品质因数值(quality factor，Q value)不佳。
技术实现思路
[0003]本公开的一些实施方式涉及一种半导体装置。半导体装置设置于一电感器之下。半导体装置包含一金属氧化物半导体电容器结构以及一图案化屏蔽结构。金属氧化物半导体电容器结构包含一多晶硅层、一氧化定义层以及一第一金属层。第一金属层连接多晶硅层以及氧化定义层。图案化屏蔽结构设置于金属氧化物半导体电容器结构之上且包含一第二金属层。
[0004]本公开的一些实施方式涉及一种金属氧化物半导体电容器结构。金属氧化物半导体电容器结构设置于一图案化屏蔽结构之下。金属氧化物半导体电容器结构包...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，设置于一电感器之下，其中该半导体装置包含：一金属氧化物半导体电容器结构，包含：一多晶硅层；一氧化定义层；及一第一金属层，连接该多晶硅层以及该氧化定义层；以及一图案化屏蔽结构，设置于该金属氧化物半导体电容器结构之上且包含一第二金属层。2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一金属层包含一第一导电部件以及至少一第二导电部件，其中该第一导电部件通过一第一连接通孔连接该多晶硅层，且该至少一第二导电部件通过一第二连接通孔连接该氧化定义层。3.如权利要求2所述的半导体装置，其中该至少一第二导电部呈H状。4.如权利要求2所述的半导体装置，其中该第一导电部件于一平面上的一第一投影范围位于该第二金属层于该平面上的一第二投影范围内。5.如权利要求2所述的半导体装置，其中该至少一第二导电部件通过一第三连接通孔连接该第二金属层。6.如权利要求5所述的半导体装置，其中该至少一第二导电部件包含...
【专利技术属性】
技术研发人员：颜孝璁，陈家源，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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