温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体器件，包括形成于衬底（４０）上的下层（３、４、５、１０、３２）和覆盖下层的第一绝缘层（１４、１５）。形成的第一凹面区（１７）从第一绝缘层的表面延伸至下层。第一锥形区（２０）是沿着位于第一凹面区的底部和第一凹面区的内壁之间的夹角部分...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。