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本发明提供一种半导体器件的隔离的形成方法，所述方法包括：提供衬底，该衬底包括第一区域和第二区域；在衬底上形成图案化的硬掩膜层；以图案化的硬掩膜层为掩膜对衬底进行第一次刻蚀，在第一区域形成若干第一沟槽，在第二区域形成若干第二沟槽，第一沟槽的宽...
该专利属于真芯（北京）半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯（北京）半导体有限责任公司授权不得商用。

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