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本发明公开一种半导体器件及其制造方法和电子设备，涉及半导体技术领域，以解决刻蚀位线时会刻蚀帽层，使后续在位线周围形成的侧墙所占空间变大，散布变差，同时容易形成侧墙拖尾结构的问题。所述半导体器件包括：衬底，具有单元区域、外围区域以及位于单元区...
该专利属于真芯（北京）半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯（北京）半导体有限责任公司授权不得商用。

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