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用于平面化半导体晶片的钨ＣＭＰ溶液，该溶液包含具有足够的氧化电位用于将钨金属氧化成氧化钨的主要氧化剂；且该钨ＣＭＰ溶液具有用于除去钨金属的静态腐蚀速率。辅助氧化剂可降低钨ＣＭＰ溶液的静态腐蚀速率。该辅助氧化剂选自溴酸盐和氯酸盐。可选地，该钨...
该专利属于CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司所有，仅供学习研究参考，未经过CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司授权不得商用。

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