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一种半导体器件的校准图形形成方法，包括下列步骤：形成硅基板的单元区域、周围电路区域，以及标记线的每一个中的沟槽；在硅基板的整个表面上沉积一氧化物层，使得形成在硅基板的单元区域中的沟槽被填充氧化物层；在硅基板的单元区域与周围电路区域通过化学机...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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