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本发明公开一种隔离半导体元件的方法。所述方法包括以下步骤：形成一个半成品的基片，所述基片设有一沟槽和一带有图案的垫氮化层；在所述沟槽的至少一部分上形成一个第一氧化层；在所述第一氧化层和所述带有图案的垫氮化层上形成一个第二氧化层；在所述第二氧...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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