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对形成沟槽后的基板进行热氧化后，在高输出且高温条件下通过ＣＶＤ法形成厚度为３０～８０ｎｍ的膜应力强的第１绝缘膜。其次，对基板热处理后在沟槽的下缘部分附近产生缺陷区域。接着，填埋沟槽，堆积比第１绝缘膜的膜应力弱的绝缘膜，实施热处理后，通过研磨...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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