下载制造具有硅化电极的半导体器件的方法的技术资料

文档序号:3202512

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本发明涉及一种制造具有半导体基体的器件的方法,该半导体基体包括一个具有一个电介质层和一个第一导体的第一半导体结构以及一个具有一个电介质层和第二导体的第二半导体结构组成,第一导体邻接电介质层的部分具有与第二导体相应部分不同的功函数。在本发明的...
该专利属于IMEC公司;康宁克里克菲利浦电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过IMEC公司;康宁克里克菲利浦电子股份有限公司授权不得商用。

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