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本发明公开了一种半导体集成电路的制备方法，所述方法包括以下步骤：形成下层布线；在过孔成形掩模上的一系列交叉点中，由下层布线与上层布线相互交叉后形成的第一交叉点处形成第一过孔；在下层布线与上层布线未发生交叉的第二交叉点位置形成第二过孔，此时，...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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