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本发明是关于一种用以制造凹式栅极结构的方法。该方法包含下列步骤：选择性蚀刻衬底，以形成多个开口；在开口和衬底上形成栅极氧化物层；在栅极氧化物层上形成第一导电硅层，以形成多个其高度与期望的图案形成之后的剩余厚度相等或更大的谷；平坦化第一导电硅...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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