温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明为一种保护有源区面积的新ＳＴＩ工艺。随着集成电路器件集成度的不断提高，在同一块芯片上往往集成了多种不同的电路和器件。对于这样的芯片制造工艺，人们既要保证核心逻辑电路的高性能又要尽量增加存储器的容量和密度。为此，本发明提出了一种新的ＳＴ...该专利属于上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。