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一种用于形成用于动态随机访问存储器器件的位线和存储节点部分的方法，该方法包括：　　　　提供衬底，所述衬底具有位线区和电容器接触区；　　　　至少形成上覆衬底的第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构包括上覆的第一覆盖层，所述第二栅极结构包...
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