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一种半导体装置的制造方法，该半导体装置在同一半导体衬底上具有ＭＯＳ晶体管及扩散电阻层，可极力抑制扩散电阻层的电流泄漏。上述制造方法具有如下特征，即在含有形成于ｎ型阱（１１）上的栅电极（２２）及ｐ＋型扩散电阻层（３０）上的ｎ型阱（１１）的整个...
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