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本发明涉及埋入式垂直动态随机存储器单元及双工作功能逻辑门。一种产生极高密度埋入式ＤＲＡＭ／极高性能逻辑结构的工艺，包括制造具有自我对准硅化的源极／漏极的垂直ＭＯＳＦＥＴ　　ＤＲＡＭ单元以及支撑中的栅极导体双工作功能ＭＯＳＦＥＴｓ。...
该专利属于因芬尼昂技术北美公司;国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术北美公司;国际商业机器公司授权不得商用。

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