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一种半导体装置，在ｎ－外延层设置ｐ＋型半导体层的肖特基势垒二极管中，不考虑ＩＲ，可实现低ＶＦ，但和通常的肖特基势垒二极管相比，一般ＶＦ较高。当适宜地选择肖特基金属层时，可降低ＶＦ，但要进一步降低则有限。另一方面，如果降低ｎ－型半导体层的比电...
该专利属于三洋电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三洋电机株式会社授权不得商用。

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