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一种半导体芯片的制造方法，包括：从具有表面及背面并在上述表面形成有功能元件的半导体基板的上述表面，形成向该半导体基板的厚度方向延伸的凹部的工序；向上述凹部的内壁面供给不活泼的第１金属材料而形成氧化防止膜的工序；在该形成氧化防止膜的工序后，向...该专利属于罗姆股份有限公司;三洋电机株式会社;株式会社瑞萨科技;株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过罗姆股份有限公司;三洋电机株式会社;株式会社瑞萨科技;株式会社东芝授权不得商用。