温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供在一个半导体衬底上形成具有不同深度的沟槽的技术，能够容易进行蚀刻工艺采用的光致抗蚀剂工艺，并且以较高的深度尺寸精度形成沟槽。在半导体衬底中形成第一膜的开口，露出半导体衬底的表面，通过开口蚀刻半导体衬底到较浅的沟槽的深度，然后用第二...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。