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本发明提供了一种形成缺陷减少的应变Ｓｉ薄膜的方法和器件，其中所述应变Ｓｉ薄膜形成在非导电衬底表面上竖直定向的翅片。所述应变Ｓｉ薄膜或翅片可以形成半导体沟道，该沟道具有较小的尺寸，同时也具有较少的缺陷。所述应变Ｓｉ翅片通过在驰豫ＳｉＧｅ块侧面...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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