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本发明提供一种在诸如半导体片等基材上沉积高介电常数介质膜的方法。在一个实施方案中，该方法涉及在基材上形成氮化物层。在可供选择的实施方案中，本发明涉及在半导体晶片（ｗａｆｅｒ）上形成金属氧化物或硅酸盐。当形成金属氧化物或硅酸盐时，首先在基材上...
该专利属于马特森技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过马特森技术公司授权不得商用。

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