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本发明公开了一种用来提高晶体管沟道中的应变效应的方法和设备，并提供了一种具有增大应力的晶体管沟道的半导体器件。为了得到增大了应力的晶体管沟道，氮化物膜被择优地形成在器件衬底上，而在栅叠层部分上很少有或没有氮化物。氮化物膜可以被择优地仅仅淀积...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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