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本发明涉及制造层顺序方法及制造集成电路方法。本发明提供了一种用于制造层顺序的方法，所述层顺序具有一第一与第二侧向限制结构，所述方法的步骤包含提供一第一层于一基质的一第一表面部分上，以一第一型传导性的掺质掺杂所述第一层，提供一第二层于所述基质...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。

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