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本发明揭示一种在半导体器件中形成接触的方法，包括下列步骤：在基板上形成位线；在包括该位线与该基板的基板结构上形成由高密度等离子体（ＨＤＰ）氧化物制造的氧化物层；在所述氧化物层上形成硬掩模；以及执行蚀刻制程，用以形成储存节点接触，其中该蚀刻制...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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