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提供一种改善晶体管性能的半导体器件的制造方法，该半导体器件的制造是通过离子注入（３１）将掺杂剂注入氧化物衬垫（３０）以防止或充分减少掺杂剂自源极／漏极的浅层延伸部（２３）扩散出来。具体实施例包含离子注入Ｐ型掺杂剂，例如Ｂ或ＢＦ↓［２］，使用...
该专利属于先进微装置公司所有，仅供学习研究参考，未经过先进微装置公司授权不得商用。

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