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本发明提供了适用于抛光半导体晶片上的铜的水性组合物，该组合物包含０．００１至６ｗｔ％的非铁金属抑制剂，０．０５至１０ｗｔ％该金属的配位剂，０．０１至２５ｗｔ％用于加速铜的去除的铜去除剂，０．５至４０ｗｔ％的研磨剂，和０至１０ｗｔ％选自聚乙烯...该专利属于CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司所有，仅供学习研究参考，未经过CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司授权不得商用。
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