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本发明公开了一种功率半导体器件及其制造方法，此器件包括碳化硅N型衬底，所述碳化硅N型衬底上设有N型外延层，所述N型外延层上设有P基区，所述P基区中形成N+源区和P+源区，以形成中间器件，所述中间器件表面淀积有绝缘介质材料层和栅介质材料层，所...
该专利属于湖南国芯半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南国芯半导体科技有限公司授权不得商用。

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