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公开了一种非易失性半导体存储器及其制造方法，其中，至少在被形成在绝缘衬底上的存储晶体管的上方或下方，提供屏蔽层，该屏蔽层的面积大于该存储晶体管的半导体层的面积，并且该屏蔽层具有电磁波屏蔽作用或光屏蔽作用，或者具有电磁波屏蔽和光屏蔽两种作用，...
该专利属于日本电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本电气株式会社授权不得商用。

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