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介绍了一种增大浮栅非易失性半导体器件的控制栅（１８）和浮栅（１４）之间的耦合率的方法。在根据本发明的叠层栅浮栅晶体管中，导电间隔层（２４）用在叠层的两侧。优选借助导电层（３４）将导电间隔层（２４）电流性连接到控制栅（１８），而借助绝缘层（２...
该专利属于NXP股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过NXP股份有限公司授权不得商用。

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