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本发明提供了一种方法，其中，在一个系统的室中被等离子氮化的栅极电介质薄膜随后在同一系统的另一个室中被加热或“退火”。可以控制处理延迟，使得在系统中被处理的全部晶片经历类似的氮含量。...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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