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本发明描述一种用于具有高面积密度的非易失性半导体存储器元件（１４，１６）的阵列结构（１０）。通过共同使用虚接地方案和存储器元件（１４，１６）的２维阵列的结合来获得该高密度。连接行或列中的存储器元件（１４，１６）的字线在绝缘交叉点（２２）彼此...
该专利属于NXP股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过NXP股份有限公司授权不得商用。

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