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本发明公开了一种基于硅锗／硅结构注氧隔离制备绝缘体上硅锗材料的方法，依次包括二氧化硅保护层生长、离子注入、高温退火和去除二氧化硅层。其特征在于（１）注入前，在硅锗上生长二氧化硅层，层厚２０～１２０ｎｍ；（２）离子注入的能量范围是１５～８０ｋ...该专利属于上海新傲科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过上海新傲科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。