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一种使用超高取向氮化铝薄膜的压电元件及其制造方法。本发明的目的在于，提供一种在玻璃基板等廉价的基板上不介入密接层而直接由Ｗ层形成下部电极，由此形成没有隆起或裂纹或剥离、而且构成ｃ轴超高取向的氮化铝薄膜的高性能的压电元件。本发明的使用超高取向...
该专利属于独立行政法人产业技术综合研究所所有，仅供学习研究参考，未经过独立行政法人产业技术综合研究所授权不得商用。

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