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本发明涉及氮化物半导体，更具体地，涉及ＧａＮ基氮化物半导体及其制备方法。根据本发明的氮化物半导体包含基底；按以下结构的任一种形成的ＧａＮ基过渡层：三层结构的Ａｌ↓［ｙ］Ｉｎ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ，ｙ］Ｎ／Ｉｎ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ／Ｇａ...
该专利属于LG伊诺特有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过LG伊诺特有限公司授权不得商用。

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