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本发明提供一种具有互连的半导体器件，降低了互连之间的漏电流并改善了ＴＤＤＢ特性，其包括绝缘间隔层（１０８）和填充在形成在绝缘间隔层中的凹槽内的互连（１６０），互连（１６０）包括铜层（１２４）和形成在铜层上的低膨胀金属层（１４０），铜层（１２...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。

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