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本发明提供形成布线结构的方法和半导体器件。通过优化作为分别适用于通孔和布线沟槽的阻挡金属膜的成膜模式，获得微型化布线结构，其中在此采用溅射工艺，其具体为用于在通孔上形成阻挡金属膜的多步骤溅射工艺，以及用于在布线沟槽上形成阻挡金属膜的单步骤、...
该专利属于富士通株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通株式会社授权不得商用。

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