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伪非易失性直接隧穿浮栅器件制造技术
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文档序号:3200421
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本发明提供一种半导体器件,该器件使用一浮栅,将模拟和数字值信息存储以数毫秒至数小时所量度的时间。电荷借助于电子直接隧穿其周围的绝缘体而添加至浮栅和/或自浮栅中移除,其中该绝缘体通常足够薄,使在绝缘体电压小于该半导体与该绝缘体之间和/或该浮栅...
该专利属于伊皮杰有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过伊皮杰有限公司授权不得商用。
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