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本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。在具有电路元件的晶圆状的半导体芯片（１２’）的主表面（１２ａ）上，形成面对电路元件的钝化膜（２０’），使得主表面中沿该主表面的端边的第一区域（３０）露出。然后，形成绝缘膜２２，使之沿该钝化膜的主表面（２...
该专利属于冲电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过冲电气工业株式会社授权不得商用。

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