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本发明提供一种可减小存储器单元尺寸的存储器。该存储器具备第一导电类型的第一杂质区域，形成于半导体基板的主表面的存储器单元阵列区域中，用作包含于存储器单元中的二极管的一个电极；和多个第二导电类型的第二杂质区域，隔着规定间隔，形成于第一杂质区域...
该专利属于三洋电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三洋电机株式会社授权不得商用。

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