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一种氮化镓基肖特基势垒高度增强型紫外探测器，其中包括：一衬底；一高Ｎ型掺杂浓度层，该欧姆接触层制作在衬底上；一有源层，该有源层制作在高Ｎ型掺杂浓度层的上面，该有源层的面积小于欧姆接触层；一肖特基势垒高度增强层，该肖特基势垒高度增强层制作在有...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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