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一种在处理容器内，以含Ｓｉ有机类材料的上层膜（６３）作为掩模，对基板的表面层（６１）上所形成的有机类材料膜的下层膜（６４）进行蚀刻的方法。向处理容器内供给包括ＮＨ↓［３］气体和Ｏ↓［２］气体的混合气体作为蚀刻气体，以该蚀刻气体的等离子体进行...
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