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本公开提供一种半导体结构的制作方法及电子设备，所述方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有至少两个栅堆叠；在半导体衬底上淀积非晶碳层，非晶碳层覆盖栅堆叠；在非晶碳层上形成掩模图形，以露出目标部位的非晶碳层的顶表面；使用掩模图形作为刻蚀掩...
该专利属于真芯（北京）半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯（北京）半导体有限责任公司授权不得商用。

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