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本发明涉及一种采用气相淀积工艺和一种或多种式Ｓｉ（ＯＲ）↓［４］的硅前体化合物与一种或多种式Ｍ（ＮＲ’Ｒ”）↓［４］的锆和／或铪前体化合物（其中Ｒ、Ｒ’和Ｒ”各自独立为有机基团，Ｍ为锆或铪）在底材（特别是半导体底材或底材组件）上形成含锆和／...
该专利属于微米技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过微米技术有限公司授权不得商用。

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