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半导体装置及其制造方法制造方法及图纸
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文档序号:3199422
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一种半导体装置,其特征在于,包括: 与半导体基板上形成的晶体管一侧的杂质扩散区电连接的多个下部电极; 覆盖上述多个下部电极的表面及侧壁面的强电介质膜; 在上述强电介质膜上与下部电极对向配置的上部电极。...
该专利属于富士通株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过富士通株式会社授权不得商用。
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