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在位于沟槽记忆单元的例子中，一包含第一氧化物层（１）、一氮化物层（２），以及一面对栅极的第二氧化物层（３）的层序列，存在于侧向沟槽壁上，而该氮化物层（２）则不存在于沟槽底部的弯曲区域（４）之中。在一可取代配置中，至少一阶段（ｓｔｅｐ）的每个...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。

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