温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体衬底，包括用电介质材料填充的一对槽。在衬底经历热处理时限制驱入槽之间台地中的掺杂剂横向扩散。因此，半导体器件可一起在衬底上更加紧密地间隔，并能提高器件的封装密度。而且槽限制的掺杂区比不受限制的扩散扩散得更快并且更深，从而降低完成所...
该专利属于先进模拟科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过先进模拟科技公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。