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该ＣＶＤ方法是在被处理基板（Ｗ）上形成硅氮化膜。该方法包括：将基板（Ｗ）装入处理容器（８）内，加热至处理温度的工序；对被加热至处理温度的基板（Ｗ）供给含有六乙氨基二硅烷气体和含有氨气体的处理气体，在基板（Ｗ）上堆积硅氮化膜的工序。...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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